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功率半导体动态参数测试系统
了解更多设备简介KC3120功率半导体动态参数测试系统可针对各类型 GaN、Si基及SiC基二极管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各项动态参数测试，如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、输入电容、输出电容、反向转移电容、短路。通过更换不同的测试单元以达到对应测试内容，通过软件切换可以选择测试单元、测试项目及配置测试参数、 读取保存测试结果。
